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Pour des processeurs toujours plus puissants, Intel prévoit l’après silicium

Dans la course à la « puissance » qu’induit la Loi de Moore, Intel prévoit deux coups d’avance, le passage au 10 nm et l’après silicium, avec des matériaux qui pourraient garantir que nos processeurs continueront à être toujours plus rapides.

Depuis sa formulation en 1975, la loi de Moore donne le rythme de l’innovation et de la progression des semi-conducteurs. De manière schématique, elle implique que le nombre de transistors présents sur un processeur doublera tous les deux ans. Malmenée au point que sa fin est régulièrement annoncée, la loi de Moore a un allié de poids à son chevet, Intel.

Le fondeur de Santa Clara s’évertue à faire en sorte que la prédiction de son co-fondateur, Gordon Moore, continue à être d’actualité. Pour y arriver, le géant américain est lancé dans une course à la réduction des tailles de gravure de ses processeurs. La prochaine étape le conduira à produire des puces en 10 nanomètres (nm), à la fin 2016 ou au début de 2017, si tout se passe bien. Le fondeur espère d’ailleurs éviter les problèmes et délais qu’il a rencontrés avec ses puces Broadwell, gravées en 14 nm. Mais afin d’être sûr que la loi de Moore ne soit pas mise en défaut, Intel vise déjà l’étape suivante et le cap des 7 nm.

Si les ingénieurs du géant américain vont donner davantage de détails sur cette étape lors de la conférence International Solid-State Circuits (ISSCC), qui se tient actuellement à San Francisco, on sait d’ores et déjà que cette taille de gravure impliquera de recourir à un nouveau matériau, différent du silicium. Il devrait a priori s’agir de semi-conducteurs III-V, vraisemblablement de l’arséniure d’indium et de gallium (inGaAs). Les propriétés de cet alliage en font depuis longtemps un candidat très en vue pour prendre la relève du silicium. Il permet en effet d’obtenir des transistors bien plus petits qui changent également bien plus rapidement d’état, grâce à une plus haute mobilité des électrons.

Lors de l’ISSCC, Intel discutera donc de la loi de Moore passés les 10 nm. Outre l’utilisation de nouveaux matériaux, la société américaine devrait également donner davantage d’informations sur de nouveaux packagings 2,5 et 3D, qui permettent de réduire la consommation d’électricité et devraient faire leurs premiers pas dans les appareils wearables.

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